插入式渦街流量計的獨特優(yōu)勢和技術(shù)指標(biāo)
發(fā)布時間：2016.06.17 新聞來源：智能渦街流量計,分體式電磁流量計,金屬管浮子流量計,橢圓齒輪流量計,通用電子流量計,磁電式流量計,江蘇中偉測控儀表有限公司 瀏覽次數(shù)：
插入式渦街流量計的獨特優(yōu)勢和技術(shù)指標(biāo)：
獨特優(yōu)勢：
1、采用xj****數(shù)控設(shè)備加工傳感器的表體和旋渦發(fā)生體等，確保加工精度，從而使零部件（特別是旋渦發(fā)生體）的通用性強(qiáng)，從而真正做到不會因零部件的更換而影響傳感器的重復(fù)性和精度；能產(chǎn)生強(qiáng)大而穩(wěn)定的渦街信號；
2、散熱器結(jié)構(gòu)采用橫放型結(jié)構(gòu)，比采用豎放型散熱器結(jié)構(gòu)的流量計，更少的將熱量傳遞到放大部分，而且散熱面積大，散熱更快，使傳感器的可靠性更高，壽命更長；
3、通過長時間對渦街流量計進(jìn)行的大量波形分析和頻譜分析，設(shè)計出了理想的探頭形狀、壁厚，高度、探頭桿直徑及與之相配套的壓電晶體，采用xj****的數(shù)控車床進(jìn)行加工，確保加工的同軸度和光潔度等精度，配合特殊的工藝處理，從而克服渦街流量計存在的固有自振蕩頻率對信號的影響這個通病。這是我公司在制作渦街流量計方面的技術(shù)獨特優(yōu)勢。
技術(shù)指標(biāo)：
1、公稱通徑（mm）：DN300～2200插入式）；
2、公稱壓力（MPa）：1.6-4.0；
3、介質(zhì)溫度（℃）：壓電式：-40-450℃（協(xié)議訂貨）；
4、本體材料：1Cr18Ni9Ti，（其它材料協(xié)議供貨）；
5、準(zhǔn)確度：±1%R，±1.5%R，±1FS；插入式：±2.5%R，±2.5%FS；
6、供電電壓：傳感器：+12V DC，+24V DC；變送器：+24V DC；電池供電型：3.6V電池；
7、輸出信號：方波脈沖（不包括電池供電型）：高電平≥5V，低電平≤1V；電流：4～20mA；
8、防爆標(biāo)志：本安型：ExdⅡia CT2-CT5隔爆型：ExdⅡCT2-CT5；
9、防護(hù)等級：普通型IP65；
10、環(huán)境條件：溫度-20℃～55℃，相對濕度5%～90%，大氣壓力86～106kPa；
11、適用介質(zhì)：氣體、液體、蒸汽；
12、傳輸距離傳感器：***長可達(dá)4km，兩線制變送器（4～20mA）：負(fù)載電阻≤750Ω。
獨特優(yōu)勢：
1、采用xj****數(shù)控設(shè)備加工傳感器的表體和旋渦發(fā)生體等，確保加工精度，從而使零部件（特別是旋渦發(fā)生體）的通用性強(qiáng)，從而真正做到不會因零部件的更換而影響傳感器的重復(fù)性和精度；能產(chǎn)生強(qiáng)大而穩(wěn)定的渦街信號；
2、散熱器結(jié)構(gòu)采用橫放型結(jié)構(gòu)，比采用豎放型散熱器結(jié)構(gòu)的流量計，更少的將熱量傳遞到放大部分，而且散熱面積大，散熱更快，使傳感器的可靠性更高，壽命更長；
3、通過長時間對渦街流量計進(jìn)行的大量波形分析和頻譜分析，設(shè)計出了理想的探頭形狀、壁厚，高度、探頭桿直徑及與之相配套的壓電晶體，采用xj****的數(shù)控車床進(jìn)行加工，確保加工的同軸度和光潔度等精度，配合特殊的工藝處理，從而克服渦街流量計存在的固有自振蕩頻率對信號的影響這個通病。這是我公司在制作渦街流量計方面的技術(shù)獨特優(yōu)勢。
技術(shù)指標(biāo)：
1、公稱通徑（mm）：DN300～2200插入式）；
2、公稱壓力（MPa）：1.6-4.0；
3、介質(zhì)溫度（℃）：壓電式：-40-450℃（協(xié)議訂貨）；
4、本體材料：1Cr18Ni9Ti，（其它材料協(xié)議供貨）；
5、準(zhǔn)確度：±1%R，±1.5%R，±1FS；插入式：±2.5%R，±2.5%FS；
6、供電電壓：傳感器：+12V DC，+24V DC；變送器：+24V DC；電池供電型：3.6V電池；
7、輸出信號：方波脈沖（不包括電池供電型）：高電平≥5V，低電平≤1V；電流：4～20mA；
8、防爆標(biāo)志：本安型：ExdⅡia CT2-CT5隔爆型：ExdⅡCT2-CT5；
9、防護(hù)等級：普通型IP65；
10、環(huán)境條件：溫度-20℃～55℃，相對濕度5%～90%，大氣壓力86～106kPa；
11、適用介質(zhì)：氣體、液體、蒸汽；
12、傳輸距離傳感器：***長可達(dá)4km，兩線制變送器（4～20mA）：負(fù)載電阻≤750Ω。
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